基本信息:
- 专利标题： LOW-PRESSURE DEPOSITION OF METAL LAYERS FROM METAL-CARBONYL PRECURSORS
- 专利标题（中）：来自金属碳前驱体的金属层的低压沉积
- 申请号：PCT/US2004028894 申请日：2004-09-07
- 公开(公告)号：WO2005033357A3 公开(公告)日：2005-06-23
- 发明人： YAMASAKI HIDEAKI , MATSUDA TSUKASA , GOMI ATSUSHI , HATANO TATSUO , SUGIURA MASAHITO , KAWANO YUMIKO , LEUSINK GERT J , MCFEELY FENTON R , MALHOTRA SANDRA G
- 申请人： TOKYO ELECTRON LTD , IBM , YAMASAKI HIDEAKI , MATSUDA TSUKASA , GOMI ATSUSHI , HATANO TATSUO , SUGIURA MASAHITO , KAWANO YUMIKO , LEUSINK GERT J , MCFEELY FENTON R , MALHOTRA SANDRA G
- 专利权人： TOKYO ELECTRON LTD,IBM,YAMASAKI HIDEAKI,MATSUDA TSUKASA,GOMI ATSUSHI,HATANO TATSUO,SUGIURA MASAHITO,KAWANO YUMIKO,LEUSINK GERT J,MCFEELY FENTON R,MALHOTRA SANDRA G
- 当前专利权人： TOKYO ELECTRON LTD,IBM,YAMASAKI HIDEAKI,MATSUDA TSUKASA,GOMI ATSUSHI,HATANO TATSUO,SUGIURA MASAHITO,KAWANO YUMIKO,LEUSINK GERT J,MCFEELY FENTON R,MALHOTRA SANDRA G
- 优先权： US67390803 2003-09-30
- 主分类号： C23C16/16
- IPC分类号： C23C16/16 ; C23C16/44 ; H01L21/285 ; C23C16/455
摘要：
A method for depositing metal layers on semiconductor substrates by a thermal chemical vapor deposition (TCVD) process includes introducing a process gas containing a metal carbonyl precursor in a process chamber and depositing a metal layer on a substrate. The TCVD process utilizes a short residence time for the gaseous species in the processing zone above the substrate to form a low-resistivity metal layer. In one embodiment of the invention, the metal carbonyl precursor can be selected from at least one of W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12 precursors. In another embodiment of the invention, a method is provided for depositing low-resistivity W layers at substrate temperatures below about 500 C, by utilizing a residence time less than about 120 msec.
摘要（中）：
通过热化学气相沉积（TCVD）方法在金属层上沉积金属层的方法包括在处理室中引入含有羰基金属前驱体的工艺气体并在基底上沉积金属层。 TCVD工艺利用在衬底上方的处理区域中的气态物质的短暂停留时间以形成低电阻率金属层。 在本发明的一个实施方案中，金属羰基前体可以选自W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO）6，Co 2（CO）8，Rh 4（CO）12，Re 2 （CO）10，Cr（CO）6和Ru 3（CO）12前体）。 在本发明的另一个实施例中，提供了一种通过利用小于约120毫秒的停留时间在低于约500℃的衬底温度下沉积低电阻W层的方法。