基本信息:
- 专利标题： REDUCTION OF FEATURE CRITICAL DIMENSIONS
- 专利标题（中）：减少特征关键尺寸
- 申请号：PCT/US2004/024853 申请日：2004-07-29
- 公开(公告)号：WO2005024904A2 公开(公告)日：2005-03-17
- 发明人： KANG, Sean, S. , LEE, Sangheon , CHEN, Wan-Lin , HUDSON, Eric, A. , SADJADI, S., M., Reza , ZHAO, Gan, Ming
- 申请人： LAM RESEARCH CORPORATION , KANG, Sean, S. , LEE, Sangheon , CHEN, Wan-Lin , HUDSON, Eric, A. , SADJADI, S., M., Reza , ZHAO, Gan, Ming
- 申请人地址： 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6470 US
- 专利权人： LAM RESEARCH CORPORATION,KANG, Sean, S.,LEE, Sangheon,CHEN, Wan-Lin,HUDSON, Eric, A.,SADJADI, S., M., Reza,ZHAO, Gan, Ming
- 当前专利权人： LAM RESEARCH CORPORATION,KANG, Sean, S.,LEE, Sangheon,CHEN, Wan-Lin,HUDSON, Eric, A.,SADJADI, S., M., Reza,ZHAO, Gan, Ming
- 当前专利权人地址： 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6470 US
- 代理机构： LEE, Michael, B.
- 优先权： US10/648,953 20030826
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
A feature in a layer is provided. A photoresist layer is formed over the layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls, where the photoresist features have a first critical dimension. A conformal layer is deposited over the sidewalls of the photoresist features to reduce the critical dimensions of the photoresist features. Features are etched into the layer, wherein the layer features have a second critical dimension, which is less than the first critical dimension.
摘要（中）：
提供了一个图层中的一个特征。 在该层上形成光致抗蚀剂层。 图案化光致抗蚀剂层以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征，其中光致抗蚀剂特征具有第一临界尺寸。 在光致抗蚀剂特征的侧壁上沉积保形层以减少光致抗蚀剂特征的临界尺寸。 将特征蚀刻到层中，其中层特征具有小于第一临界尺寸的第二临界尺寸。