发明申请
WO2003104343A2 METHOD FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) OF LOW-K DIELECTRIC MATERIALS
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： METHOD FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) OF LOW-K DIELECTRIC MATERIALS
- 专利标题（中）：低K介电材料的化学机械抛光（CMP）方法
- 申请号：PCT/IB2003/002266 申请日：2003-05-26
- 公开(公告)号：WO2003104343A2 公开(公告)日：2003-12-18
- 发明人： MOEGGENBORG, Kevin, J. , CHOU, Homer , HAWKINS, Joseph, D. , CHAMBERLAIN, Jeffrey, P.
- 申请人： CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
- 申请人地址： 870 North Commons Drive, Aurora, IL 60504 US
- 专利权人： CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
- 当前专利权人： CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
- 当前专利权人地址： 870 North Commons Drive, Aurora, IL 60504 US
- 代理机构： TURNER-BRIM, Phyllis, T.
- 优先权： US10/165,100 20020607
- 主分类号： C09G1/00
- IPC分类号： C09G1/00
摘要：
The invention provides a method of polishing a substrate containing a low-k dielectric layer comprising (i) contacting the substrate with a chemical-mechanical polishing system comprising (a) an abrasive, a polishing pad, or a combination thereof, (b) an amphiphilic nonionic surfactant, and (c) a liquid carrier, and (ii) abrading at least a portion of the substrate to polish the substrate.
摘要（中）：
本发明提供了一种抛光含有低k电介质层的衬底的方法，包括（i）使衬底与化学机械抛光系统接触，所述化学机械抛光系统包括（a）研磨剂，抛光垫或其组合，（b） 两亲性非离子表面活性剂，和（c）液体载体，和（ii）研磨至少一部分基材以抛光基材。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C09 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 |
| ----C09G | 虫胶清漆除外的抛光组合物；滑雪屐蜡 |
| ------C09G1/00 | 抛光组合物 |