基本信息:
- 专利标题： METHODS OF ENDPOINT DETECTION FOR WAFER PLANARIZATION
- 专利标题（中）：用于波形平面化的端点检测方法
- 申请号：PCT/US0111838 申请日：2001-04-11
- 公开(公告)号：WO0245127A2 公开(公告)日：2002-06-06
- 发明人： FUNKENBUSCH ERIC F
- 申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES CO
- 专利权人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES CO
- 当前专利权人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES CO
- 优先权： US72793500 2000-12-01
- 主分类号： B24B21/04
- IPC分类号： B24B21/04 ; B24B37/013 ; H01L21/66 ; H01L
摘要：
A method for monitoring the endpoint for a silicon wafer or other semiconductor device CMP process. A fixed abrasive article, such as a three dimensional abrasive article, is used to planarize the wafer in the presence of a working fluid. A component in the effluent from the CMP process is monitored to predict the CMP endpoint. In some embodiments, the component monitored is a reaction production between a component from the silicon wafer and a reactant.
摘要（中）：
一种用于监测硅晶片或其它半导体器件CMP工艺的端点的方法。 使用诸如三维磨料制品的固定的磨料制品在工作流体的存在下使晶片平坦化。 监测来自CMP过程的污水中的组分以预测CMP终点。 在一些实施方案中，所监测的组分是来自硅晶片的组分和反应物之间的反应生成。
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B24 | 磨削；抛光 |
| ----B24B | 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 |
| ------B24B21/00 | 使用磨削或抛光带的机床或装置；以及附件 |
| --------B24B21/04 | .用于磨削平面 |