基本信息:
- 专利标题： SHALLOW TRENCH TRANSISTOR DEEP TRENCH CAPACITOR MEMORY CELL
- 专利标题（中）：低压透镜晶体管深度TRENCH电容器存储单元
- 申请号：PCT/US0127074 申请日：2001-08-30
- 公开(公告)号：WO0227797A3 公开(公告)日：2003-01-09
- 发明人： ALSMEIER JOHANN , GRUENING ULRIKE
- 申请人： INFINEON TECHNOLOGIES CORP
- 专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES CORP
- 当前专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES CORP
- 优先权： US66958500 2000-09-26
- 主分类号： H01L21/8242
- IPC分类号： H01L21/8242 ; H01L27/108
摘要：
An improved sub 8F memory cell is disclosed. The sub 8F cell includes a trench capacitor (260) formed in a substrate; a shallow transistor trench (STT) (287) formed in the substrate; a transistor comprising a first diffusion region (213), the first diffusion region couples the transistor to the gate, a second diffusion region (214), the second diffusion region couples the transistor to a bit line, and a gate (212) serving as a word line, the gate includes a buried portion and a non-buried portion, wherein the buried portion of the gate occupies the shallow transistor trench.
摘要（中）：
公开了改进的子8F 2存储器单元。 子8F 2单元包括形成在衬底中的沟槽电容器（260） 形成在衬底中的浅晶体管沟槽（STT）（287）; 晶体管，包括第一扩散区域（213），第一扩散区域将晶体管耦合到栅极，第二扩散区域（214），第二扩散区域将晶体管耦合到位线，以及栅极（212） 一个字线，该栅极包括一个埋入部分和一个非埋置部分，其中栅极的埋入部分占据浅晶体管沟槽。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8239 | ........存储器结构 |
| ------------------------H01L21/8242 | .........动态随机存取存储结构（DRAM） |