基本信息:
- 专利标题： PROCESS OF SHAPING FEATURES OF SEMICONDUCTOR DEVICES
- 专利标题（中）：形成半导体器件特征的工艺
- 申请号：PCT/US1992010151 申请日：1992-11-25
- 公开(公告)号：WO1994013010A1 公开(公告)日：1994-06-09
- 发明人： FEI COMPANY , SWANSON, Lynwood, W. , LINDQUIST, John, M.
- 申请人： FEI COMPANY
- 专利权人： FEI COMPANY
- 当前专利权人： FEI COMPANY
- 主分类号： H01L21/306
- IPC分类号： H01L21/306
摘要：
Semiconductor devices are modified and/or repaired by a gas enhanced physical puttering process. A sample (22) is positioned on a movable X-Y stage (24) located within a lower chamber (26) which is evacuated and under the control of vacuum controller (32). In an evacuated envelop (10) a focused ion beam (18) passes from a liquid metal ion source (14) through column (16) and deflection means (20) and is scanned over an area to be removed on the sample (22). Iodine vapor from source (46) is directed toward the same area to aid in the selective sputtering by enabling a chemical reaction at the scanned area. The iodine may be initially handled in a solid state and is then heated inside the focused ion beam system without presenting a toxic hazard.
摘要（中）：
半导体器件通过气体增强的物理推杆过程进行修改和/或修复。 样品（22）定位在位于下室（26）内的可移动X-Y台（24）上，该下室（28）被抽真空并在真空控制器（32）的控制下。 在抽真空的包络（10）中，聚焦离子束（18）从液态金属离子源（14）通过色谱柱（16）和偏转装置（20）传送并扫描在样品（22）上待除去的区域上， 。 来自源极（46）的碘蒸气被引向相同的区域，以通过在扫描区域进行化学反应来帮助选择性溅射。 碘可以最初以固态处理，然后在聚焦离子束系统内被加热，而不会产生毒性危险。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |