基本信息:
- 专利标题： METHOD OF FABRICATING A METAL GRID FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）：用于制造半导体器件的金属网的方法
- 申请号：US14194859 申请日：2014-03-03
- 公开(公告)号：US20150249109A1 公开(公告)日：2015-09-03
- 发明人： Chih-Chien Wang , Chihy-Yuan Cheng , Chuan-Ling Wu , Chun-Chang Chen , Wang-Pen Mo , Feng-Jia Shiu
- 申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 申请人地址： TW Hsin-Chu
- 专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
A method for manufacturing the image sensor device is provided. The method includes depositing a first dielectric layer over a back surface of a substrate, forming a ridge over the first dielectric layer, depositing a second dielectric layer over the first dielectric layer, including filling in a space between two adjacent ridges. The method also includes removing the ridge to form a trench in the second dielectric layer and forming a metal grid in the trench.
摘要（中）：
提供了一种用于制造图像传感器装置的方法。 该方法包括在衬底的背表面上沉积第一介电层，在第一介电层上形成脊，在第一介电层上沉积第二电介质层，包括填充两个相邻脊之间的空间。 该方法还包括去除脊以在第二电介质层中形成沟槽并在沟槽中形成金属栅格。
公开/授权文献:
- US09153620B2 Method of fabricating a metal grid for semiconductor device 公开/授权日：2015-10-06
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |