基本信息:
- 专利标题： METHODS FOR PROCESSING A SEMICONDUCTOR WORKPIECE
- 专利标题（中）：加工半导体工件的方法
- 申请号：US14088523 申请日：2013-11-25
- 公开(公告)号：US20150147850A1 公开(公告)日：2015-05-28
- 发明人： Gudrun Stranzl , Martin Zgaga , Rainer Leuschner , Bernhard Goller , Bernhard Boche , Manfred Engelhardt , Hermann Wendt , Bernd Noehammer , Karl Mayer , Michael Roesner , Monika Cornelia Voerckel
- 申请人： Infineon Technologies AG
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 主分类号： H01L21/82
- IPC分类号： H01L21/82 ; H01L21/283 ; H01L21/265 ; H01L23/00
摘要：
Methods for processing a semiconductor workpiece can include providing a semiconductor workpiece that includes one or more kerf regions; forming one or more trenches in the workpiece by removing material from the one or more kerf regions from a first side of the workpiece; mounting the workpiece with the first side to a carrier; thinning the workpiece from a second side of the workpiece; and forming a metallization layer over the second side of the workpiece.
摘要（中）：
用于处理半导体工件的方法可以包括提供包括一个或多个切口区域的半导体工件; 通过从所述工件的第一侧移除来自所述一个或多个切割区域的材料，在所述工件中形成一个或多个沟槽; 将具有第一侧的工件安装到载体上; 从工件的第二侧使工件变薄; 以及在所述工件的第二侧上形成金属化层。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/82 | ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路 |