发明申请
US20150132883A1 PHOTO DETECTOR CONSISTING OF TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTORS AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： PHOTO DETECTOR CONSISTING OF TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTORS AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF
- 专利标题（中）：隧道场效应晶体管的照相检测器及其制造方法
- 申请号：US14600196 申请日：2015-01-20
- 公开(公告)号：US20150132883A1 公开(公告)日：2015-05-14
- 发明人： Pengfei Wang , Xi Lin , Wei Wang , Xiaoyong Liu , Wei Zhang
- 申请人： Pengfei Wang , Xi Lin , Wei Wang , Xiaoyong Liu , Wei Zhang
- 申请人地址： CN Shanghai
- 专利权人： FUDAN UNIVERSITY
- 当前专利权人： FUDAN UNIVERSITY
- 当前专利权人地址： CN Shanghai
- 优先权： CN201110094530.3 20110415
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/113 ; H01L31/0232
摘要：
The present invention belongs to the technical field of optical interconnection and relates to a photo detector, in particular to a photo detector consisting of tunneling field-effect transistors.
摘要（中）：
本发明属于光互连的技术领域，涉及光检测器，特别涉及由隧道场效应晶体管构成的光检测器。