基本信息:
- 专利标题： ETCHING METHOD AND DEVICE
- 专利标题（中）：蚀刻方法和装置
- 申请号：US13807550 申请日：2011-04-19
- 公开(公告)号：US20130102157A1 公开(公告)日：2013-04-25
- 发明人： Toshihisa Ozu
- 申请人： Toshihisa Ozu
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2010-147357 20100629
- 国际申请： PCT/JP2011/059587 WO 20110419
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065
摘要：
An etching method can prevent adverse effects of oxygen plasma from arising under an insulating film when etching the insulating film formed on a substrate. The etching method includes: a first etching step for exposing the insulating film to processing gas that has been turned into a plasma to etch the insulating film to a portion in the thickness direction; a deposition material removing step for exposing the insulating film remaining after completion of the first etching to oxygen plasma to remove deposition material deposited on the surface of the remaining insulating film; and a second etching of exposing the remaining insulating film to processing gas that has been turned into a plasma to etch the remaining insulating film.
摘要（中）：
当蚀刻形成在基板上的绝缘膜时，蚀刻方法可以防止在绝缘膜下产生的氧等离子体的不利影响。 蚀刻方法包括：第一蚀刻步骤，用于将绝缘膜暴露于已经变成等离子体的处理气体中，以将绝缘膜蚀刻到厚度方向的一部分; 用于将完成第一蚀刻后残留的绝缘膜暴露于氧等离子体以去除沉积在剩余绝缘膜的表面上的沉积材料的沉积材料去除步骤; 以及将剩余绝缘膜暴露于已经变成等离子体以处理剩余绝缘膜的处理气体的第二蚀刻。
公开/授权文献:
- US08835320B2 Etching method and device 公开/授权日：2014-09-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |