基本信息:
- 专利标题： VERTICAL MOSFET ELECTROSTATIC DISCHARGE DEVICE
- 专利标题（中）：垂直MOSFET静电放电装置
- 申请号：US13281293 申请日：2011-10-25
- 公开(公告)号：US20130099309A1 公开(公告)日：2013-04-25
- 发明人： Jeng-Hsing Jang , Yi-Nan Chen , Hsien-Wen Liu
- 申请人： Jeng-Hsing Jang , Yi-Nan Chen , Hsien-Wen Liu
- 申请人地址： TW Taoyuan
- 专利权人： NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 当前专利权人： NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 当前专利权人地址： TW Taoyuan
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
A vertical MOSFET electrostatic discharge device is disclosed, including a substrate comprising a plurality of trenches, a recessed gate disposed in each trench, a drain region disposed between each of the two neighboring recessed gates, an electrostatic discharge implant region disposed under each drain region, and a source region surrounding and disposed under the recessed gates and the electrostatic discharge implant regions.
摘要（中）：
公开了一种垂直MOSFET静电放电装置，包括：包括多个沟槽的衬底;设置在每个沟槽中的凹入栅极，设置在两个相邻凹入栅极中的每一个之间的漏极区域，设置在每个漏极区域下方的静电放电注入区域， 以及围绕并设置在凹入栅极和静电放电注入区域下面的源极区域。
公开/授权文献:
- US09054131B2 Vertical MOSFET electrostatic discharge device 公开/授权日：2015-06-09
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |