基本信息:
- 专利标题： TECHNIQUE FOR ION IMPLANTING A TARGET
- 专利标题（中）：离子注入目标的技术
- 申请号：US13613964 申请日：2012-09-13
- 公开(公告)号：US20130072008A1 公开(公告)日：2013-03-21
- 发明人： Alexander S. Perel , Craig R. Chaney , Wayne D. LeBlanc , Robert Lindberg , Antonella Cucchetti , Neil J. Bassom , David Sporleder , James Young
- 申请人： Alexander S. Perel , Craig R. Chaney , Wayne D. LeBlanc , Robert Lindberg , Antonella Cucchetti , Neil J. Bassom , David Sporleder , James Young
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265
摘要：
A technique for ion implanting a target is disclosed. In accordance with one exemplary embodiment, the technique may be realized as a method for ion implanting a target, the method comprising: providing a predetermined amount of processing gas in an arc chamber of an ion source, the processing gas containing implant species and implant species carrier, where the implant species carrier may be one of O and H; providing a predetermined amount of dilutant into the arc chamber, wherein the dilutant may comprise a noble species containing material; and ionizing the processing gas and the dilutant.
摘要（中）：
公开了用于离子注入靶的技术。 根据一个示例性实施例，该技术可以被实现为用于离子注入靶的方法，所述方法包括：在离子源的电弧室中提供预定量的处理气体，所述处理气体含有植入物种类和植入物种 载体，其中种植体载体可以是O和H之一; 将预定量的稀释剂提供到所述电弧室中，其中所述稀释剂可包括含有贵重物质的材料; 并使处理气体和稀释剂电离。
公开/授权文献:
- US08937003B2 Technique for ion implanting a target 公开/授权日：2015-01-20
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |