基本信息:
- 专利标题： Nitrogen Doped Aluminum Oxide Resistive Random Access Memory
- 专利标题（中）：氮掺杂氧化铝电阻随机存取存储器
- 申请号：US13469556 申请日：2012-05-11
- 公开(公告)号：US20120305881A1 公开(公告)日：2012-12-06
- 发明人： Siu-Weng S. Wong , Wanki Kim , Zhiping Zhang , Sung Il Park
- 申请人： Siu-Weng S. Wong , Wanki Kim , Zhiping Zhang , Sung Il Park
- 主分类号： H01L47/00
- IPC分类号： H01L47/00
摘要：
A resistive random access memory (RRAM) device is provided that includes a first electrode, a second electrode, and a resistance-change film disposed between the first electrode and the second electrode, where the resistance-change film includes an atomic ratio of aluminum, oxygen and nitrogen.
摘要（中）：
提供了一种电阻随机存取存储器（RRAM）装置，其包括设置在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和电阻变化膜，其中电阻变化膜包括铝的原子比， 氧气和氮气。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L47/00 | 体负阻效应器件，例如耿氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |