基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：US13422077 申请日：2012-03-16
- 公开(公告)号：US20120241815A1 公开(公告)日：2012-09-27
- 发明人： Dong Hyuk KIM , Dongsuk Shin , Myungsun Kim , Hoi Sung Chung
- 申请人： Dong Hyuk KIM , Dongsuk Shin , Myungsun Kim , Hoi Sung Chung
- 申请人地址： KR Suwon-si
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si
- 优先权： KR10-2011-0026052 20110323
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/20
摘要：
A method of fabricating one or more semiconductor devices includes forming a trench in a semiconductor substrate, performing a cycling process to remove contaminants from the trench, and forming an epitaxial layer on the trench. The cycling process includes sequentially supplying a first reaction gas containing germane, hydrogen chloride and hydrogen and a second reaction gas containing hydrogen chloride and hydrogen onto the semiconductor substrate.
摘要（中）：
制造一个或多个半导体器件的方法包括在半导体衬底中形成沟槽，执行循环过程以从沟槽去除污染物，以及在沟槽上形成外延层。 循环过程包括将含有锗烷，氯化氢和氢的第一反应气体和含有氯化氢和氢的第二反应气体依次提供到半导体衬底上。
公开/授权文献:
- US08900942B2 Semiconductor devices and methods of fabricating the same 公开/授权日：2014-12-02
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |