基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SELF-ALIGNED CONTACT ELEMENTS
- 专利标题（中）：包含自对准接触元件的半导体器件
- 申请号：US13372604 申请日：2012-02-14
- 公开(公告)号：US20120211837A1 公开(公告)日：2012-08-23
- 发明人： Peter Baars , Till Schloesser , Frank Jakubowski , Andy Wei , Richard Carter , Matthias Schaller
- 申请人： Peter Baars , Till Schloesser , Frank Jakubowski , Andy Wei , Richard Carter , Matthias Schaller
- 申请人地址： KY Grand Cayman
- 专利权人： GLOBALFOUNDRIES INC.
- 当前专利权人： GLOBALFOUNDRIES INC.
- 当前专利权人地址： KY Grand Cayman
- 优先权： DE102011004323.3 20110217
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/283 ; H01L27/088
摘要：
When forming sophisticated semiconductor devices, a replacement gate approach may be applied in combination with a self-aligned contact regime by forming the self-aligned contacts prior to replacing the placeholder material of the gate electrode structures.
摘要（中）：
当形成复杂的半导体器件时，可以在替换栅极电极结构的占位符材料之前形成自对准触点，将替代栅极方法与自对准接触方式结合使用。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |