基本信息:
- 专利标题： Sic single crystal wafer and process for production thereof
- 专利标题（中）：Sic单晶晶片及其制造方法
- 申请号：US13385566 申请日：2012-02-27
- 公开(公告)号：US20120211769A1 公开(公告)日：2012-08-23
- 发明人： Kazuhiko Kusunoki , Kazuhito Kamei , Nobuyoshi Yashiro , Junichi Koike
- 申请人： Kazuhiko Kusunoki , Kazuhito Kamei , Nobuyoshi Yashiro , Junichi Koike
- 申请人地址： JP Osaka
- 专利权人： SUMITOMO METAL INDUSTRIES, LTD.
- 当前专利权人： SUMITOMO METAL INDUSTRIES, LTD.
- 当前专利权人地址： JP Osaka
- 优先权： JP2009-196845 20090827
- 主分类号： H01L29/16
- IPC分类号： H01L29/16 ; B32B3/02 ; C30B19/04 ; H01L21/20 ; C01B31/36 ; B32B5/00 ; B32B9/04 ; B82Y30/00
摘要：
A SiC single crystal wafer on which a good quality epitaxial film by suppressing defects derived from the wafer can be grown has an affected surface layer with a thickness of at most 50 nm and a SiC single crystal portion with an oxygen content of at most 1.0×1017 atoms/cm3. This SiC single crystal wafer is manufactured from a high purity SiC bulk single crystal obtained by the solution growth method using raw materials with an oxygen content of at most 100 ppm and a non-oxidizing atmosphere having an oxygen concentration of at most 100 ppm.
摘要（中）：
通过抑制从晶片产生的缺陷可以生长出其质量良好的外延膜的SiC单晶晶片具有厚度至多为50nm的受影响的表面层和氧含量至多为1.0×x的SiC单晶部分 1017原子/ cm3。 该SiC单晶晶片由使用氧含量为100ppm以下的原料和氧浓度为100ppm以下的非氧化性气氛的溶液生长法得到的高纯度SiC体单晶制造。
公开/授权文献:
- US09222198B2 SiC single crystal wafer and process for production thereof 公开/授权日：2015-12-29