基本信息:
- 专利标题： METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SILICON NITRIDE FILM
- 专利标题（中）：用于形成氮化硅膜的方法和装置
- 申请号：US13332691 申请日：2011-12-21
- 公开(公告)号：US20120178264A1 公开(公告)日：2012-07-12
- 发明人： Hiroki MURAKAMI , Yosuke WATANABE , Kazuhide HASEBE
- 申请人： Hiroki MURAKAMI , Yosuke WATANABE , Kazuhide HASEBE
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2010-284634 20101221; JP2011-237988 20111028
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; C23C16/455
摘要：
A method of forming a silicon nitride film on the surface of an object to be processed, the method including forming a seed layer functioning as a seed of the silicon nitride film on the surface of the object to be processed by using at least an aminosilane-based gas, prior to forming the silicon nitride film on the surface of the object to be processed.
摘要（中）：
一种在待处理物体的表面上形成氮化硅膜的方法，该方法包括通过使用至少一种氨基硅烷化合物形成在待加工物体的表面上起氮化硅膜的晶种的种子层的作用， 在将待加工物体的表面上形成氮化硅膜之前。
公开/授权文献:
- US08753984B2 Method and apparatus for forming silicon nitride film 公开/授权日：2014-06-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |