发明申请
US20120177845A1 HIGH MOLECULAR WEIGHT ALKYL-ALLYL COBALTTRICARBONYL COMPLEXES AND USE THEREOF FOR PREPARING DIELECTRIC THIN FILMS
有权
基本信息:
- 专利标题： HIGH MOLECULAR WEIGHT ALKYL-ALLYL COBALTTRICARBONYL COMPLEXES AND USE THEREOF FOR PREPARING DIELECTRIC THIN FILMS
- 专利标题（中）：高分子量的碱金属络合钴配合物及其制备介质薄膜的应用
- 申请号：US13388861 申请日：2010-07-27
- 公开(公告)号：US20120177845A1 公开(公告)日：2012-07-12
- 发明人： Rajesh Odedra , Neil Boag , Jeff Anthis , Ravi Kanjolia
- 申请人： Rajesh Odedra , Neil Boag , Jeff Anthis , Ravi Kanjolia
- 申请人地址： US MO St. Louis
- 专利权人： Sigma-Aldrich Co. LLC
- 当前专利权人： Sigma-Aldrich Co. LLC
- 当前专利权人地址： US MO St. Louis
- 国际申请： PCT/US10/43300 WO 20100727
- 主分类号： C23C16/44
- IPC分类号： C23C16/44 ; C23C16/50 ; C23C16/34 ; C07F15/06
摘要：
A method for forming a cobalt-containing thin film by a vapor deposition process is provided. The method comprises using at least one precursor corresponding in structure to Formula (I); wherein R1 and R2 are independently C2-C8-alkyl; x is zero, 1 or 2; and y is zero or 1; wherein both x and y can not be zero simultaneously.
摘要（中）：
提供了一种通过气相沉积工艺形成含钴薄膜的方法。 该方法包括使用至少一种在结构上对应于式（I）的前体; 其中R 1和R 2独立地为C 2 -C 8 - 烷基; x为零，1或2; y为0或1; 其中x和y两者不能同时为零。