基本信息:
- 专利标题： Semiconductor integrated circuit device
- 专利标题（中）：半导体集成电路器件
- 申请号：US12805261 申请日：2010-07-21
- 公开(公告)号：US20100308458A1 公开(公告)日：2010-12-09
- 发明人： Masao Shinozaki , Kenji Nishimoto , Takashi Akioka , Yutaka Kohara , Sanae Asari , Shusaku Miyata , Shinji Nakazato
- 申请人： Masao Shinozaki , Kenji Nishimoto , Takashi Akioka , Yutaka Kohara , Sanae Asari , Shusaku Miyata , Shinji Nakazato
- 专利权人： Renesas Electronics Corporation,Hitachi ULSI Systems Co.
- 当前专利权人： Renesas Electronics Corporation,Hitachi ULSI Systems Co.
- 优先权： JP2000-383728 20001218; JP2001-161630 20010530
- 主分类号： H01L23/498
- IPC分类号： H01L23/498
摘要：
Circuit elements and wirings constituting a circuit, and first electrodes electrically connected to such a circuit are provided on one main surface of a semiconductor substrate. An organic insulating film is formed on the circuit except for openings on the surfaces of the first electrodes. First and second external connecting electrodes are provided on the organic insulating film. At least one conductive layer for electrically connecting the first and second external connecting electrodes and the first electrodes is placed on the organic insulating film.
摘要（中）：
构成电路的电路元件和布线以及与这种电路电连接的第一电极设置在半导体衬底的一个主表面上。 除了第一电极的表面上的开口之外，在电路上形成有机绝缘膜。 第一和第二外部连接电极设置在有机绝缘膜上。 用于将第一和第二外部连接电极和第一电极电连接的至少一个导电层被放置在有机绝缘膜上。
公开/授权文献:
- US07982314B2 Semiconductor integrated circuit device 公开/授权日：2011-07-19
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/498 | ...引线位于绝缘衬底上的 |