基本信息:
- 专利标题： THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
- 专利标题（中）：薄膜晶体管阵列及其制造方法
- 申请号：US12817510 申请日：2010-06-17
- 公开(公告)号：US20100255620A1 公开(公告)日：2010-10-07
- 发明人： Jong-Moo HUH , Seung-Kyu PARK , Tae-Youn KIM
- 申请人： Jong-Moo HUH , Seung-Kyu PARK , Tae-Youn KIM
- 申请人地址： KR Suwon-si
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si
- 优先权： KR10-2005-0119417 20051208
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336
摘要：
The present invention provides a thin film transistor array panel which includes a substrate, gate lines formed on the substrate, polycrystalline semiconductors formed on the gate lines, data lines formed on the polycrystalline semiconductors and including first electrodes, second electrodes formed on the polycrystalline semiconductors and facing the first electrodes, and pixel electrodes connected to the second electrodes.
摘要（中）：
本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括基板，形成在基板上的栅极线，形成在栅极线上的多晶半导体，形成在多晶半导体上的数据线，包括第一电极，形成在多晶半导体上的第二电极和 面对第一电极和连接到第二电极的像素电极。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |