基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：US12603289 申请日：2009-10-21
- 公开(公告)号：US20100102448A1 公开(公告)日：2010-04-29
- 发明人： Hiroshi Akahori , Tooru Ichikawa , Wakako Takeuchi
- 申请人： Hiroshi Akahori , Tooru Ichikawa , Wakako Takeuchi
- 优先权： JP2008-276056 20081027
- 主分类号： H01L23/532
- IPC分类号： H01L23/532 ; H01L21/768
摘要：
A semiconductor device according to one embodiment includes: a semiconductor element formed on a semiconductor substrate; a metal wiring formed above the semiconductor element; an amorphous silicon film formed above the semiconductor element, the amorphous silicon film being insulated from the metal wiring; and a metal diffusion blocking film formed above the amorphous silicon film, the metal diffusion blocking film having a property to suppress diffusion of metal atoms in the metal wiring.
摘要（中）：
根据一个实施例的半导体器件包括：形成在半导体衬底上的半导体元件; 形成在所述半导体元件上方的金属布线; 形成在所述半导体元件上方的非晶硅膜，所述非晶硅膜与所述金属布线绝缘; 以及形成在所述非晶硅膜上方的金属扩散阻挡膜，所述金属扩散阻挡膜具有抑制金属配线中的金属原子扩散的性质。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/522 | ..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的 |
| ------------H01L23/532 | ...按材料特点进行区分的 |