基本信息:
- 专利标题： SPLIT CHARGE STORAGE NODE INNER SPACER PROCESS
- 专利标题（中）：分离式充电储存装置内部空间过程
- 申请号：US11873822 申请日：2007-10-17
- 公开(公告)号：US20090101963A1 公开(公告)日：2009-04-23
- 发明人： Minghao Shen , Shenqing Fang , Wai Lo , Christie R.K. Marrian , Chungho Lee , Ning Cheng , Fred Cheung , Huaqiang Wu
- 申请人： Minghao Shen , Shenqing Fang , Wai Lo , Christie R.K. Marrian , Chungho Lee , Ning Cheng , Fred Cheung , Huaqiang Wu
- 申请人地址： US CA Sunnyvale
- 专利权人： SPANSION LLC
- 当前专利权人： SPANSION LLC
- 当前专利权人地址： US CA Sunnyvale
- 主分类号： H01L29/792
- IPC分类号： H01L29/792 ; H01L21/336
摘要：
Methods of forming a memory cell containing two split sub-lithographic charge storage nodes on a semiconductor substrate are provided. The methods can involve forming two split sub-lithographic charge storage nodes by using spacer formation techniques. By removing exposed portions of a first poly layer while leaving portions of the first poly layer protected by the spacers, the method can provide two split sub-lithographic first poly gates. Further, by removing exposed portions of a charge storage layer while leaving portions of the charge storage layer protected by the two split sub-lithographic first poly gates, the method can provide two split, narrow portions of the charge storage layer, which subsequently form two split sub-lithographic charge storage nodes.
摘要（中）：
提供了在半导体衬底上形成包含两个分开的次光刻电荷存储节点的存储单元的方法。 这些方法可以包括通过使用间隔物形成技术形成两个分裂的亚光刻电荷存储节点。 通过去除第一多晶硅层的暴露部分，同时留下被间隔物保护的第一多晶硅层的部分，该方法可以提供两个分裂的次光刻的第一多晶硅栅极。 此外，通过去除电荷存储层的暴露部分，同时保留由两个分割子光刻第一多晶硅栅极保护的电荷存储层的部分，该方法可以提供电荷存储层的两个分开的窄部分，其随后形成两个 拆分次光刻电荷存储节点。
公开/授权文献:
- US07829936B2 Split charge storage node inner spacer process 公开/授权日：2010-11-09
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/792 | ......带有电荷捕获栅绝缘体，例如MNOS存储晶体管 |