基本信息:
- 专利标题： OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）：光学半导体器件
- 申请号：US12125220 申请日：2008-05-22
- 公开(公告)号：US20080291952A1 公开(公告)日：2008-11-27
- 发明人： Tsuyoshi Yamamoto , Manabu Matsuda , Kan Takada
- 申请人： Tsuyoshi Yamamoto , Manabu Matsuda , Kan Takada
- 申请人地址： JP Kawasaki-shi
- 专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人地址： JP Kawasaki-shi
- 优先权： JP2007-136491 20070523
- 主分类号： H01S5/00
- IPC分类号： H01S5/00
摘要：
An optical semiconductor device with a semiconductor laser formed over a semiconductor substrate, and a modulator formed over the semiconductor substrate and continuously arranged with the semiconductor laser, wherein the semiconductor laser includes a first region having a diffraction grating with a phase shift, a second region arranged between the first region and the modulator, and in which the diffraction grating is not formed, and a common active layer formed over the first region and the second region, a first electrode injecting a current into the common active layer.
摘要（中）：
一种形成在半导体衬底上的半导体激光器的光学半导体器件，以及形成在该半导体衬底上且与该半导体激光器连续布置的调制器，其中半导体激光器包括具有相移的衍射光栅的第一区域， 布置在第一区域和调制器之间，并且其中没有形成衍射光栅，以及在第一区域和第二区域上形成的公共有源层，第一电极将电流注入到公共有源层中。