基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device and method of fabricating the same
- 申请号：US11984738 申请日：2007-11-21
- 公开(公告)号：US20080203475A1 公开(公告)日：2008-08-28
- 发明人： Takashi Saiki , Hiroyuki Ohta , Hiroyuki Kanata
- 申请人： Takashi Saiki , Hiroyuki Ohta , Hiroyuki Kanata
- 申请人地址： JP Kawasaki
- 专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人： FUJITSU LIMITED
- 当前专利权人地址： JP Kawasaki
- 优先权： JP2003-373499 20031031
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78
摘要：
An extension region is formed by ion implantation under masking by a gate electrode, and then a substance having a diffusion suppressive function over an impurity contained in a source-and-drain is implanted under masking by the gate electrode and a first sidewall spacer so as to form amorphous layers a semiconductor substrate within a surficial layer thereof and in alignment with the first sidewall spacer, to thereby form an amorphous diffusion suppressive region.
公开/授权文献:
- US07663187B2 Semiconductor device and method of fabricating the same 公开/授权日：2010-02-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |