基本信息:
- 专利标题： Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus
- 专利标题（中）：基板加工方法及基板加工装置
- 申请号：US11667945 申请日：2006-04-04
- 公开(公告)号：US20070292598A1 公开(公告)日：2007-12-20
- 发明人： Kunihiro Tada , Hiroyuki Miyashita , Isao Gunji
- 申请人： Kunihiro Tada , Hiroyuki Miyashita , Isao Gunji
- 申请人地址： JP TOKYO
- 专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人： TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人地址： JP TOKYO
- 优先权： JP2005-107913 20050404
- 国际申请： PCT/JP06/07081 WO 20060404
- 主分类号： C23C16/46
- IPC分类号： C23C16/46 ; H01L21/02 ; H01L21/285
摘要：
Disclosed is a substrate processing method wherein the infrared absorptance or infrared transmittance of a substrate to be processed is measured in advance, and the substrate is processed according to the measured value while independently controlling temperatures at least in a first region located in the central part of the substrate and in a second region around the first region using temperature control means which are respectively provided for the first region and the second region and can be controlled independently from each other.
摘要（中）：
公开了一种基板处理方法，其中预先测量待处理的基板的红外吸收率或红外线透射率，并且根据测量值对基板进行处理，同时至少在位于中心部分的第一区域中独立地控制温度 基板和在第一区域周围的第二区域中，使用分别设置用于第一区域和第二区域并且可以彼此独立地控制的温度控制装置。