基本信息:
- 专利标题： Silicided recessed silicon
- 专利标题（中）：硅胶凹槽硅
- 申请号：US11219303 申请日：2005-09-01
- 公开(公告)号：US20070049015A1 公开(公告)日：2007-03-01
- 发明人： Hasan Nejad , Thomas Figura , Gordon Haller , Ravi Iyer , John Meldrim , Justin Harnish
- 申请人： Hasan Nejad , Thomas Figura , Gordon Haller , Ravi Iyer , John Meldrim , Justin Harnish
- 主分类号： H01L21/4763
- IPC分类号： H01L21/4763
摘要：
Methods and structures are provided for full silicidation of recessed silicon. Silicon is provided within a trench. A mixture of metals is provided over the silicon in which one of the metals diffuses more readily in silicon than silicon does in the metal, and another of the metals diffuses less readily in silicon than silicon does in the metal. An exemplary mixture includes 80% nickel and 20% cobalt. The silicon within the trench is allowed to fully silicide without void formation, despite a relatively high aspect ratio for the trench. Among other devices, recessed access devices (RADs) can be formed by the method for memory arrays.
摘要（中）：
为嵌入硅完全硅化提供了方法和结构。 在沟槽内提供硅。 在硅上提供了一种金属混合物，其中一种金属在硅中比硅中更容易扩散到金属中，而另一种金属在硅中比在金属中的硅更容易扩散。 示例性的混合物包括80％的镍和20％的钴。 尽管沟槽的纵横比相对较高，但沟槽内的硅可以完全无硅化物形成。 在其他设备中，可以通过用于存储器阵列的方法形成凹陷接入设备（RAD）。
公开/授权文献:
- US07557032B2 Silicided recessed silicon 公开/授权日：2009-07-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/42 | ....用辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/461 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/4763 | ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理 |