发明申请
US20060216614A1 Method of mask making and structure thereof for improving mask ESD immunity
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： Method of mask making and structure thereof for improving mask ESD immunity
- 专利标题（中）：掩模制造方法及其结构，用于提高掩模的ESD抗扰度
- 申请号：US11089061 申请日：2005-03-24
- 公开(公告)号：US20060216614A1 公开(公告)日：2006-09-28
- 发明人： Shyh-Jen Guo , Yu Lo
- 申请人： Shyh-Jen Guo , Yu Lo
- 专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
- 当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
- 主分类号： G03C5/00
- IPC分类号： G03C5/00 ; G03F1/00
摘要：
A method for fabricating a mask (or reticle) to improve the mask ESD immunity is provided. A substrate having an upper surface is substantially transparent to a selected radiation. A light sensitive layer is formed over the substrate. The light sensitive layer is patterned and etched to form a pattern of openings in the light sensitive layer. The substrate is etched according to the pattern of openings in the light sensitive layer. The light sensitive layer is stripped. An opaque layer is then deposited on the upper surface and in the openings of the patterned substrate. The substrate is planarized by removing excess opaque layer from over the upper surface of the substrate. A pellicle is then mounted outstretched on the upper surface of the substrate.
摘要（中）：
提供了制造掩模（或掩模版）以提高掩模ESD抗扰度的方法。 具有上表面的基底对所选择的辐射基本上是透明的。 在衬底上形成光敏层。 对感光层进行图案化和蚀刻，以在光敏层中形成开口图案。 根据光敏层中的开口图案蚀刻衬底。 剥去光敏层。 然后在图案化衬底的上表面和开口中沉积不透明层。 通过从衬底的上表面上去除多余的不透明层来平坦化衬底。 然后将防护薄膜组件伸出到衬底的上表面上。