![[PIXEL STRUCTURE OF ACTIVE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE]](/abs-image/US/2005/04/14/US20050078071A1/abs.jpg.150x150.jpg)
基本信息:
- 专利标题： [PIXEL STRUCTURE OF ACTIVE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE]
- 专利标题（中）：有源有机发光二极管的像素结构
- 申请号：US10707110 申请日：2003-11-21
- 公开(公告)号：US20050078071A1 公开(公告)日：2005-04-14
- 发明人： Kun-Hong Chen
- 申请人： Kun-Hong Chen
- 优先权： TW92128044 20031009
- 主分类号： G09G3/32
- IPC分类号： G09G3/32 ; G09G3/36 ; H01L21/77 ; H01L27/12 ; H01L27/13 ; H01L27/32 ; H01L29/786
摘要：
A pixel structure of active organic light emitting diode is disclosed, which comprises an organic light emitting diode, a data-line, a scan-line, a switch thin film transistor (TFT), a control TFT, and a capacitor. The switch TFT has a first lightly doping drain and the control TFT has a second lightly doping drain. The doped concentration of the second lightly doped drain region is higher than that of the first lightly doped drain region. The leakage current in the switch TFT is reduced and the kink effect in the control TFT is improved by the pixel structure of an active organic light emitting diode. Therefore, a better display performance is provided.
摘要（中）：
公开了一种有源有机发光二极管的像素结构，其包括有机发光二极管，数据线，扫描线，开关薄膜晶体管（TFT），控制TFT和电容器。 开关TFT具有第一轻掺杂漏极，并且控制TFT具有第二轻掺杂漏极。 第二轻掺杂漏极区的掺杂浓度高于第一轻掺杂漏极区的掺杂浓度。 开关TFT中的漏电流减小，并且通过有源有机发光二极管的像素结构改善控制TFT中的扭结效应。 因此，提供更好的显示性能。
公开/授权文献:
- US07119777B2 Pixel structure of active organic light emitting diode 公开/授权日：2006-10-10
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G09 | 教育；密码术；显示；广告；印鉴 |
| ----G09G | 使用静态方法显示可变信息的指示装置 |
| ------G09G3/00 | 仅考虑与除阴极射线管以外的目视指示器连接的控制装置和电路 |
| --------G09G3/04 | .用于从许多字符中选取单个字符或用个别的元件组合构成字符来显示单个字符，例如分段 |
| ----------G09G3/22 | ..采用受控制光源 |
| ------------G09G3/24 | ...采用白炽灯丝 |
| --------------G09G3/32 | ....半导体的，例如二极管 |