发明申请
US20050006649A1 Static induction transistor, method of manufacturing same and electric power conversion apparatus
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： Static induction transistor, method of manufacturing same and electric power conversion apparatus
- 专利标题（中）：静电感应晶体管，制造方法和电力转换装置
- 申请号：US10824442 申请日：2004-04-15
- 公开(公告)号：US20050006649A1 公开(公告)日：2005-01-13
- 发明人： Takayuki Iwasaki , Tsutomu Yatsuo , Hidekatsu Onose , Toshiyuki Oono
- 申请人： Takayuki Iwasaki , Tsutomu Yatsuo , Hidekatsu Onose , Toshiyuki Oono
- 主分类号： H01L29/772
- IPC分类号： H01L29/772 ; H02M7/00 ; H01L31/0312
摘要：
A static induction transistor includes a semiconductor substrate with an energy band gap greater than that of silicon, and the semiconductor substrate has a first gate region to which a gate electrode is connected; and a second gate region positioned within a first semiconductor region which becomes a drain region, and the first gate region is in contact with a second semiconductor region which becomes a source region. According to this construction, the OFF characteristics of the static induction transistor are improved.
摘要（中）：
静电感应晶体管包括具有比硅的能带隙大的能带隙的半导体衬底，并且半导体衬底具有连接有栅电极的第一栅极区域; 以及位于成为漏极区域的第一半导体区域内的第二栅极区域，并且第一栅极区域与成为源极区域的第二半导体区域接触。 根据该结构，能够提高静电感应晶体管的OFF特性。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/772 | ....场效应晶体管 |