基本信息:
- 专利标题： Method for manufacturing semiconductor device
- 专利标题（中）：制造半导体器件的方法
- 申请号：US10855466 申请日：2004-05-28
- 公开(公告)号：US20040248395A1 公开(公告)日：2004-12-09
- 发明人： Katsumi Yoneda , Toru Yoshie
- 申请人： Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.
- 申请人地址： JP Tsukuba-shi
- 专利权人： Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.
- 当前专利权人： Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.
- 当前专利权人地址： JP Tsukuba-shi
- 优先权： JP2003-161277 20030605
- 主分类号： H01L021/4763
- IPC分类号： H01L021/4763 ; H01L021/31 ; H01L021/469
摘要：
In a method for manufacturing a semiconductor device having a multi-layer insulating film, a first insulating film is formed as one layer of the multi-layer insulating film, and a plasma treatment is performed on the surface of the first insulating film in an ambient of helium and argon, containing 5 to 31% Ar. After the plasma treatment, a second insulating film, different from the first insulating film, is formed on the first insulating film as another layer of the multi-layer insulating film.
摘要（中）：
在制造具有多层绝缘膜的半导体器件的方法中，第一绝缘膜形成为多层绝缘膜的一层，并且在环境中对第一绝缘膜的表面进行等离子体处理 的氦和氩，含有5〜31％的Ar。 在等离子体处理之后，在第一绝缘膜上形成与第一绝缘膜不同的第二绝缘膜作为多层绝缘膜的另一层。