基本信息:
- 专利标题: 用於排氣冷卻的設備
- 专利标题(英):APPARATUS FOR EXHAUST COOLING
- 专利标题(中):用于排气冷却的设备
- 申请号:TW106112166 申请日:2017-04-12
- 公开(公告)号:TWI679698B 公开(公告)日:2019-12-11
- 发明人: 卡克斯 麥克S , COX, MICHAEL S. , 偉斯特 布萊恩T , WEST, BRIAN T. , 強森 羅傑M , JOHNSON, ROGER M. , 洛正佐 研 , ROZENZON, YAN , 索瑪納 丁凱許 , SOMANNA, DINKESH , 何 文彬 , HO, DUSTIN W.
- 申请人: 美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人: 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人: 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人: 李世章; 彭國洋
- 优先权: PCT/CN2016/079153 20160413
- 主分类号: H01L21/306
- IPC分类号: H01L21/306 ; C23C16/455 ; C23C16/54 ; F28F13/06 ; F28F3/00
公开/授权文献:
- TW201743379A 用於排氣冷卻的設備 公开/授权日:2017-12-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割 |
------------------H01L21/306 | ......化学或电处理,例如电解腐蚀 |