专利号TW106100050 | 用於半導體裝置之結合ＳＡＤＰ鰭片之製造方法

专利标题：用於半導體裝置之結合ＳＡＤＰ鰭片之製造方法
专利标题（英）：Methods of making combined sadp fins for semiconductor devices
专利标题（中）：用于半导体设备之结合ＳＡＤＰ鳍片之制造方法
申请号：TW106100050 申请日：2017-01-03
公开(公告)号：TWI667771B 公开(公告)日：2019-08-01
发明人：里考西尼古拉斯文森特 , LICAUSI, NICHOLAS VINCENT , 柯爾斯艾瑞克史考特 , KOZARSKY, ERIC SCOTT , 伯奇古拉梅 , BOUCHE, GUILLAUME
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
专利权人：美商格羅方德半導體公司,GLOBALFOUNDRIES US INC.
当前专利权人：美商格羅方德半導體公司,GLOBALFOUNDRIES US INC.
代理人：洪武雄; 陳昭誠
优先权： 15/141,087 20160428
主分类号： H01L27/11
IPC分类号： H01L27/11

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
--------H01L27/02	.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
----------H01L27/04	..其衬底为半导体的
------------H01L27/06	...在非重复结构中包括有多个单个组件的
--------------H01L27/105	....包含场效应组件的
----------------H01L27/11	.....静态随机存取存储结构的

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