专利号TW105110991 | 用於溝槽功率MOSFET的自對準接頭

专利标题：用於溝槽功率MOSFET的自對準接頭
专利标题（英）：Self-aligned contact for trench power mosfet
专利标题（中）：用于沟槽功率MOSFET的自对准接头
申请号：TW105110991 申请日：2016-04-08
公开(公告)号：TWI621160B 公开(公告)日：2018-04-11
发明人：薛宏勇 , XUE, HONGYONG , 雷燮光 , LUI, SIK , 黃士彰 , HUANG, TERENCE , 林靖凱 , LIN, CHING-KAI , 李文軍 , LI, WENJUN , 楊易昌 , YANG, YI-CHANG , 鄧覺為 , DUN, JOWEI
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
专利权人：萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
当前专利权人：萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
代理人：楊長峯; 李國光; 張仲謙
优先权： US14/681,887 20150408
主分类号： H01L21/28
IPC分类号： H01L21/28 ; H01L29/40 ; H01L29/41 ; H01L29/78

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/28	....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的

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