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专利标题：
呈奈米尺寸之靜電放電(ESD)硬後端結構
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- 专利标题（英）：ESD HARD BACKEND STRUCTURES IN NANOMETER DIMENSION
- 专利标题（中）：呈奈米尺寸之静电放电(ESD)硬后端结构
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申请号：TW105137507
申请日：2016-11-16
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公开(公告)号：TWI606567B
公开(公告)日：2017-11-21
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发明人：
曾仁洲
, TSENG, JEN-CHOU
, 蔡明甫
, TSAI, MING-FU
, 張子恒
, CHANG, TZU-HENG
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申请人：
台灣積體電路製造股份有限公司
,
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
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申请人地址：
新竹市
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专利权人：
台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
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当前专利权人：
台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
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当前专利权人地址：
新竹市
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代理人：
陳長文; 馮博生
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优先权：
62/255,739 20151116;15/271,272 20160921
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主分类号：
H01L23/60
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IPC分类号：
H01L23/60
