基本信息:
- 专利标题： 半導體結構及其製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor structure and manufacturing method thereof
- 专利标题（中）：半导体结构及其制造方法
- 申请号：TW104118570 申请日：2015-06-09
- 公开(公告)号：TWI591763B 公开(公告)日：2017-07-11
- 发明人： 魏嘉余 , WEI, CHIA YU , 蕭晉勛 , HSIAO, CHIN HSUN , 朱益興 , CHU, YI HSING , 林彥良 , LIN, YEN LIANG , 許永隆 , HSU, YUNG LUNG , 陳信吉 , CHEN, HSIN CHI
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 馮博生
- 优先权： 62/101,597 20150109;14/642,344 20150309
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L27/146
公开/授权文献:
- TW201626502A 半導體結構及其製造方法 公开/授权日：2016-07-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |