专利号TW104122503 | 形成用於半導體裝置之接觸結構的方法及所產生的裝置

专利标题：形成用於半導體裝置之接觸結構的方法及所產生的裝置
专利标题（英）：Methods of forming contact structures for semiconductor devices and the resulting devices
专利标题（中）：形成用于半导体设备之接触结构的方法及所产生的设备
申请号：TW104122503 申请日：2015-07-13
公开(公告)号：TWI575582B 公开(公告)日：2017-03-21
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 泰勒二世威廉J , TAYLOR JR., WILLIAM J. , 卡米尼夫馬爾 , KAMINENI, VIMAL
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
专利权人：格羅方德半導體公司,GLOBALFOUNDRIES US INC.
当前专利权人：格羅方德半導體公司,GLOBALFOUNDRIES US INC.
代理人：洪武雄; 陳昭誠
优先权： 14/457,708 20140812
主分类号： H01L21/28
IPC分类号： H01L21/28 ; H01L29/66

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/28	....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的

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