基本信息:
- 专利标题： 氧化物燒結體、濺鍍用靶、及使用其而得之氧化物半導體薄膜
- 专利标题（中）：氧化物烧结体、溅镀用靶、及使用其而得之氧化物半导体薄膜
- 申请号：TW104137984 申请日：2015-11-18
- 公开(公告)号：TWI574935B 公开(公告)日：2017-03-21
- 发明人： 西村英一郎 , NISHIMURA, EIICHIRO , 中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 松村文彥 , MATSUMURA, FUMIHIKO
- 申请人： 住友金屬礦山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
- 专利权人： 住友金屬礦山股份有限公司,SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
- 当前专利权人： 住友金屬礦山股份有限公司,SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
- 代理人： 閻啟泰; 林景郁
- 优先权： JP2014-237808 20141125
- 主分类号： C04B35/01
- IPC分类号： C04B35/01 ; C04B35/64 ; C23C14/08 ; C23C14/34 ; H01L21/363
公开/授权文献:
- TW201625504A 氧化物燒結體、濺鍍用靶、及使用其而得之氧化物半導體薄膜 公开/授权日：2016-07-16