基本信息:
- 专利标题： 具埋藏式字元線的半導體元件
- 专利标题（英）：Semiconductor device having buried wordlines
- 专利标题（中）：具埋藏式字符线的半导体组件
- 申请号：TW104114989 申请日：2015-05-12
- 公开(公告)号：TWI572010B 公开(公告)日：2017-02-21
- 发明人： 王國鎮 , WANG, KUO-CHEN , 艾 凡斯 , AGARWAL, VISHNU KUMAR
- 申请人： 華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
- 申请人地址： 桃園市
- 专利权人： 華亞科技股份有限公司,INOTERA MEMORIES, INC.
- 当前专利权人： 華亞科技股份有限公司,INOTERA MEMORIES, INC.
- 当前专利权人地址： 桃園市
- 代理人： 吳豐任; 戴俊彥
- 优先权： 14/668,971 20150325
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; H01L21/8242
公开/授权文献:
- TW201635490A 具埋藏式字元線的半導體元件 公开/授权日：2016-10-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/108 | .....动态随机存取存储结构的 |