专利号TW104115508 | 記憶裝置與其形成方法

专利标题：記憶裝置與其形成方法
专利标题（英）：Memory device and method for manufacturing the same
专利标题（中）：记忆设备与其形成方法
申请号：TW104115508 申请日：2015-05-15
公开(公告)号：TWI555210B 公开(公告)日：2016-10-21
发明人：柯林基尙皮耶 , COLINGE, JEAN-PIERRE , 郭大鵬 , GUO, TA PEN , 戴爾茲卡羅斯H , DIAZ, CARLOS H.
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
申请人地址：新竹市
专利权人：台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
当前专利权人：台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
当前专利权人地址：新竹市
代理人：洪澄文; 顏錦順
优先权： 14/279,842 20140516
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/788

Espacenet

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件
--------H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
----------H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
------------H01L29/70	...双极器件
--------------H01L29/762	....电荷转移器件
----------------H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的

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