基本信息:
- 专利标题： 氮化物半導體結構
- 专利标题（英）：Nitride semiconductor structure
- 专利标题（中）：氮化物半导体结构
- 申请号：TW103124565 申请日：2014-07-17
- 公开(公告)号：TWI550921B 公开(公告)日：2016-09-21
- 发明人： 宣融 , HSUAN, JUNG , 胡智威 , HU, CHIH WEI , 詹益仁 , CHAN, YI JEN
- 申请人： 嘉晶電子股份有限公司 , EPISIL-PRECISION INC.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 嘉晶電子股份有限公司,EPISIL-PRECISION INC.
- 当前专利权人： 嘉晶電子股份有限公司,EPISIL-PRECISION INC.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 葉璟宗; 卓俊傑
- 主分类号： H01L33/64
- IPC分类号： H01L33/64
公开/授权文献:
- TW201605077A 氮化物半導體結構 公开/授权日：2016-02-01