基本信息:
- 专利标题: 半導體記憶體元件、測試電路、及其測試操作方法
- 专利标题(英):Semiconductor memory device, test circuit, and test operation method thereof
- 专利标题(中):半导体内存组件、测试电路、及其测试操作方法
- 申请号:TW100149339 申请日:2011-12-28
- 公开(公告)号:TWI550623B 公开(公告)日:2016-09-21
- 发明人: 都昌鎬 , DO, CHANG-HO , 金演祐 , KIM, KYEON-WOO
- 申请人: 海力士半導體股份有限公司 , HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
- 专利权人: 海力士半導體股份有限公司,HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
- 当前专利权人: 海力士半導體股份有限公司,HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
- 代理人: 陳長文
- 优先权: 12/982,409 20101230
- 主分类号: G11C29/04
- IPC分类号: G11C29/04
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
G | 物理 |
--G11 | 信息存储 |
----G11C | 静态存储器 |
------G11C29/00 | 存储器正确运行的校验;备用或离线操作期间测试存储器 |
--------G11C29/04 | .损坏存储元件的检测或定位 |