基本信息:
- 专利标题： 使用微透鏡陣列而產生線路之光學設計
- 专利标题（英）：Optical design for line generation using microlens array
- 专利标题（中）：使用微透镜数组而产生线路之光学设计
- 申请号：TW101138300 申请日：2012-10-17
- 公开(公告)号：TWI503873B 公开(公告)日：2015-10-11
- 发明人： 霍姆葛倫道格拉斯E , HOLMGREN, DOUGLAS E. , 赫威爾斯山謬C , HOWELLS, SAMUEL C.
- 申请人： 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 蔡坤財; 李世章
- 优先权： 61/555,938 20111104;13/649,028 20121010
- 主分类号： H01L21/268
- IPC分类号： H01L21/268 ; H01L21/324 ; B23K26/06
公开/授权文献:
- TW201320159A 使用微透鏡陣列而產生線路之光學設計 公开/授权日：2013-05-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/268 | ......应用电磁辐射的，例如激光辐射 |