基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体设备
- 申请号：TW100146412 申请日：2011-12-15
- 公开(公告)号：TWI464830B 公开(公告)日：2014-12-11
- 发明人： 貞松康史 , SADAMATSU, KOJI , 陳則 , CHEN, ZE , 中村勝光 , NAKAMURA, KATSUMI
- 申请人： 三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
- 专利权人： 三菱電機股份有限公司,MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
- 当前专利权人： 三菱電機股份有限公司,MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
- 代理人： 洪澄文
- 优先权： 2011-098360 20110426
- 主分类号： H01L21/8222
- IPC分类号： H01L21/8222 ; H01L29/70
公开/授权文献:
- TW201244011A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 公开/授权日：2012-11-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |