专利号TW101111374 | 半導體元件的單元接觸和位元線的製作方法

专利标题：半導體元件的單元接觸和位元線的製作方法
专利标题（英）：Method of fabricating a cell contact and a digit line for a semiconductor device
专利标题（中）：半导体组件的单元接触和比特线的制作方法
申请号：TW101111374 申请日：2012-03-30
公开(公告)号：TWI443778B 公开(公告)日：2014-07-01
发明人：蘇爾氏希亞姆 , SURTHI, SHYAM , 黑尼克拉爾斯 , HEINECK, LARS
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORP.
申请人地址：桃園縣
专利权人：南亞科技股份有限公司,NANYA TECHNOLOGY CORP.
当前专利权人：南亞科技股份有限公司,NANYA TECHNOLOGY CORP.
当前专利权人地址：桃園縣
代理人：吳豐任; 戴俊彥
优先权： 13/164,778 20110621
主分类号： H01L21/8242
IPC分类号： H01L21/8242 ; G11C7/18 ; H01L21/314

Espacenet

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/67	.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
----------H01L21/71	..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造
------------H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件
--------------H01L21/782	....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成
----------------H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的
------------------H01L21/8222	......双极工艺
--------------------H01L21/8234	.......MIS工艺
----------------------H01L21/8239	........存储器结构
------------------------H01L21/8242	.........动态随机存取存储结构（DRAM）

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