基本信息:
- 专利标题： 微細圖案形成用積層體及微細圖案形成用積層體之製造方法
- 专利标题（中）：微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体之制造方法
- 申请号：TW101121830 申请日：2012-06-18
- 公开(公告)号：TWI436405B 公开(公告)日：2014-05-01
- 发明人： 古池潤 , KOIKE, JUN , 山口布士人 , YAMAGUCHI, FUJITO , 前田雅俊 , MAEDA, MASATOSHI , 有久慎司 , ARIHISA, SHINJI
- 申请人： 旭化成電子材料股份有限公司 , ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION
- 专利权人： 旭化成電子材料股份有限公司,ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION
- 当前专利权人： 旭化成電子材料股份有限公司,ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 2011-139692 20110623;2011-185504 20110829;2011-185505 20110829;2011-285597 20111227;2011-286453 20111227;2012-013466 20120125;2012-022267 20120203;2012-037957 20120223;2012-038273 20120224
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; G03F7/00
公开/授权文献:
- TW201327631A 微細圖案形成用積層體及微細圖案形成用積層體之製造方法 公开/授权日：2013-07-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |