发明专利
TWI362121B 氮化鎵系化合物半導體發光元件及其製造方法 GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
有权
基本信息:
- 专利标题： 氮化鎵系化合物半導體發光元件及其製造方法 GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
- 专利标题（英）：Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and production method thereof
- 专利标题（中）：氮化镓系化合物半导体发光组件及其制造方法 GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
- 申请号：TW095132762 申请日：2006-09-05
- 公开(公告)号：TWI362121B 公开(公告)日：2012-04-11
- 发明人： 村木典孝 , 篠原裕直 , 大澤弘
- 申请人： 昭和電工股份有限公司
- 申请人地址： SHOWA DENKO K. K. 日本 JP
- 专利权人： 昭和電工股份有限公司
- 当前专利权人： 昭和電工股份有限公司
- 当前专利权人地址： SHOWA DENKO K. K. 日本 JP
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 日本 2005-258135 20050906 日本 2005-360291 20051214
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
提供光取出效率優良的氮化鎵系化合物半導體發光元件及其製造方法。於基板11上將氮化鎵系化合物半導體所構成之n型半導體層13、發光層14及p型半導體層15以此順序層合，並於p型半導體層15上層合透光性正極16並且於該透光性正極上16設置正極黏著墊17，並於n型半導體層13上設置負極黏著墊18的發光元件中，於p型半導體層15之表面15a的至少一部分形成無秩序的凹凸面。
摘要（中）：
提供光取出效率优良的氮化镓系化合物半导体发光组件及其制造方法。于基板11上将氮化镓系化合物半导体所构成之n型半导体层13、发光层14及p型半导体层15以此顺序层合，并于p型半导体层15上层合透光性正极16并且于该透光性正极上16设置正极黏着垫17，并于n型半导体层13上设置负极黏着垫18的发光组件中，于p型半导体层15之表面15a的至少一部分形成无秩序的凹凸面。