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1. 发明专利

TWI377698B ＧａＮ系半導體發光元件及燈 GaN TYPE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND LAMP 有权
简体标题：ＧａＮ系半导体发光组件及灯 GaN TYPE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND LAMP
公开(公告)号：TWI377698B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：TW096111372
申请日：2007-03-30
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：大澤弘 , 篠原裕直
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/007
摘要：本發明係提供一種，發光特性及光取出效率極佳之氮化鎵系化合物半導體發光元件之製造方法及燈。於此氮化鎵系化合物半導體發光元件之製造方法中，於形成為凹凸形狀之具有透光性的基板上，至少具備緩衝層、n型半導體層、發光層、p型半導體層之GaN系半導體發光元件之製造方法中，係藉由使用具有搖動式磁控磁性電路之濺鍍裝置之濺鍍法，將上述緩衝層予以成膜。此外，以AlN、ZnO、Mg、Hf形成上述緩衝層。
简体摘要：本发明系提供一种，发光特性及光取出效率极佳之氮化镓系化合物半导体发光组件之制造方法及灯。于此氮化镓系化合物半导体发光组件之制造方法中，于形成为凹凸形状之具有透光性的基板上，至少具备缓冲层、n型半导体层、发光层、p型半导体层之GaN系半导体发光组件之制造方法中，系借由使用具有摇动式磁控磁性电路之溅镀设备之溅镀法，将上述缓冲层予以成膜。此外，以AlN、ZnO、Mg、Hf形成上述缓冲层。

2. 发明专利

TWI362121B 氮化鎵系化合物半導體發光元件及其製造方法 GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF 有权
简体标题：氮化镓系化合物半导体发光组件及其制造方法 GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI362121B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：TW095132762
申请日：2006-09-05
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：村木典孝 , 篠原裕直 , 大澤弘
IPC分类号： H01L
摘要：提供光取出效率優良的氮化鎵系化合物半導體發光元件及其製造方法。於基板11上將氮化鎵系化合物半導體所構成之n型半導體層13、發光層14及p型半導體層15以此順序層合，並於p型半導體層15上層合透光性正極16並且於該透光性正極上16設置正極黏著墊17，並於n型半導體層13上設置負極黏著墊18的發光元件中，於p型半導體層15之表面15a的至少一部分形成無秩序的凹凸面。
简体摘要：提供光取出效率优良的氮化镓系化合物半导体发光组件及其制造方法。于基板11上将氮化镓系化合物半导体所构成之n型半导体层13、发光层14及p型半导体层15以此顺序层合，并于p型半导体层15上层合透光性正极16并且于该透光性正极上16设置正极黏着垫17，并于n型半导体层13上设置负极黏着垫18的发光组件中，于p型半导体层15之表面15a的至少一部分形成无秩序的凹凸面。

3. 发明专利

TWI355755B 以ＧａＮ為基之半導體發光裝置及其製造方法 GAN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF 有权
简体标题：以ＧａＮ为基之半导体发光设备及其制造方法 GAN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF
公开(公告)号：TWI355755B
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW096106188
申请日：2007-02-16
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：大澤弘 , 程田高史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/32 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015
摘要：一種以GaN為基之半導體發光裝置1，包含堆疊的本體10A，該堆疊的本體10A具有包含n型半導體層、發光層、及p型半導體層的元件層12，各層係由以GaN為基之半導體所形成且係依序堆疊，並設有以金屬製成的第一接合層14來作為最外層，以及形成於導電基板31上的第二接合層33，該第二接合層33係適於以位在形成該導電基板31之側對面的表面，而接合至該第一接合層14，該第二接合層33係以與該第一接合層14相同的晶體結構之金屬製成，且可在該接合表面之垂直方向與該接合表面之面內(in－plane)方向顯現相同的晶體定向。
简体摘要：一种以GaN为基之半导体发光设备1，包含堆栈的本体10A，该堆栈的本体10A具有包含n型半导体层、发光层、及p型半导体层的组件层12，各层系由以GaN为基之半导体所形成且系依序堆栈，并设有以金属制成的第一接合层14来作为最外层，以及形成于导电基板31上的第二接合层33，该第二接合层33系适于以位在形成该导电基板31之侧对面的表面，而接合至该第一接合层14，该第二接合层33系以与该第一接合层14相同的晶体结构之金属制成，且可在该接合表面之垂直方向与该接合表面之面内(in－plane)方向显现相同的晶体定向。

4. 发明专利

TWI343131B 氮化鎵系化合物半導體發光元件之製造方法、氮化鎵系化合物半導體發光元件及使用其之燈 PROCESS FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, GALLIUM NITRIDE TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND LAMP USING THE SAME 有权
简体标题：氮化镓系化合物半导体发光组件之制造方法、氮化镓系化合物半导体发光组件及使用其之灯 PROCESS FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, GALLIUM NITRIDE TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND LAMP USING THE SAME
公开(公告)号：TWI343131B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW096110219
申请日：2007-03-23
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：篠原裕直 , 村木典孝 , 大澤弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：本發明係提供一種，可獲得光取出效率較佳，且能夠於低驅動電壓下進行動作之氮化鎵系化合物半導體發光元件之製造方法，氮化鎵系化合物半導體發光元件及使用其之燈。此氮化鎵系化合物半導體發光元件之製造方法係構成為，包含：於基板11上，依下列順序至少將由氮化鎵系化合物半導體所形成之n型半導體層13、發光層14及第1p型半導體層15予以層積之第1結晶成長製程；及更將由氮化鎵系化合物半導體所形成之第2p型半導體層16予以層積之第2結晶成長製程；於上述第1結晶成長製程與第2結晶成長製程之間，具備於第1p型半導體層15的表面形成凹凸之凹凸形成製程；及於該凹凸形成製程之後進行熱處理之熱處理製程。
简体摘要：本发明系提供一种，可获得光取出效率较佳，且能够于低驱动电压下进行动作之氮化镓系化合物半导体发光组件之制造方法，氮化镓系化合物半导体发光组件及使用其之灯。此氮化镓系化合物半导体发光组件之制造方法系构成为，包含：于基板11上，依下列顺序至少将由氮化镓系化合物半导体所形成之n型半导体层13、发光层14及第1p型半导体层15予以层积之第1结晶成长制程；及更将由氮化镓系化合物半导体所形成之第2p型半导体层16予以层积之第2结晶成长制程；于上述第1结晶成长制程与第2结晶成长制程之间，具备于第1p型半导体层15的表面形成凹凸之凹凸形成制程；及于该凹凸形成制程之后进行热处理之热处理制程。

5. 发明专利

TW201110413A 發光裝置、其製造方法、燈、電子機器及機械裝置 LIGHT EMITTING DEVICE, PRODUCTION METHOD, LAMP, ELECTRONIC EQUIPMENT AND MECHANICAL EQUIPMENT 审中-公开
简体标题：发光设备、其制造方法、灯、电子机器及机械设备 LIGHT EMITTING DEVICE, PRODUCTION METHOD, LAMP, ELECTRONIC EQUIPMENT AND MECHANICAL EQUIPMENT
公开(公告)号：TW201110413A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099120553
申请日：2010-06-24
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：舛谷享祐 , 橫山英祐 , 大澤弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L2933/0016
摘要：本發明之目的在提供減低驅動電壓,使光取出效率提升的發光裝置、其製造方法、燈、電子機器及機械裝置。藉由使用在基板(11)的一面依序層積n型半導體層(12)、發光層(13)、p型半導體層(14)、及氧化鈦系導電膜層(15)的發光裝置,在p型半導體層(14)與氧化鈦系導電膜層(15)之間,存在有含有In、Al或Ga之任一元素的第1氧化物、及含有Zn或Sn之任一元素的第2氧化物,前述第2氧化物相對前述第1氧化物和前述第2氧化物之全量的質量比例為1-20質量%的範圍的發光裝置(1),可解決上述課題。
简体摘要：本发明之目的在提供减低驱动电压,使光取出效率提升的发光设备、其制造方法、灯、电子机器及机械设备。借由使用在基板(11)的一面依序层积n型半导体层(12)、发光层(13)、p型半导体层(14)、及氧化钛系导电膜层(15)的发光设备,在p型半导体层(14)与氧化钛系导电膜层(15)之间,存在有含有In、Al或Ga之任一元素的第1氧化物、及含有Zn或Sn之任一元素的第2氧化物,前述第2氧化物相对前述第1氧化物和前述第2氧化物之全量的质量比例为1-20质量%的范围的发光设备(1),可解决上述课题。

6. 发明专利

TWI329371B 氮化物系半導體發光元件及該製造方法 NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF 有权
简体标题：氮化物系半导体发光组件及该制造方法 NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI329371B
公开(公告)日：2010-08-21
申请号：TW095132937
申请日：2006-09-06
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：大澤弘 , 程田高史
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係一種氮化物系半導體發光元件及該製造方法，其課題為，具備密著性高之正電極及負電極，並以高輸出，得到防止發熱之氮化物系半導體發光元件，其解決手段係針對在於電鍍層上，至少依電阻接觸層、p型氮化物系半導體層、氮化物系半導體發光層、n型氮化物系半導體層順序堆積而成之氮化物系半導體發光元件，於電阻接觸層與電鍍層之間，具備電鍍密著層，且該電鍍密著層則由將與構成電鍍層之合金主成分相同成分含有50質量%以上的合金而成。
简体摘要：本发明系一种氮化物系半导体发光组件及该制造方法，其课题为，具备密着性高之正电极及负电极，并以高输出，得到防止发热之氮化物系半导体发光组件，其解决手段系针对在于电镀层上，至少依电阻接触层、p型氮化物系半导体层、氮化物系半导体发光层、n型氮化物系半导体层顺序堆积而成之氮化物系半导体发光组件，于电阻接触层与电镀层之间，具备电镀密着层，且该电镀密着层则由将与构成电镀层之合金主成分相同成分含有50质量%以上的合金而成。

7. 发明专利

TWI359509B 半導體發光元件、半導體發光元件之製造方法及燈 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND LAMP 有权
简体标题：半导体发光组件、半导体发光组件之制造方法及灯 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND LAMP
公开(公告)号：TWI359509B
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW096113231
申请日：2007-04-14
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：福永修大 , 大澤弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本發明是提供能夠有效率地輸出紫外光之半導體發光元件及其製造方法。
半導體發光元件1係具備有：含有p型半導體層14，至少具有紫外區域的發光波長之半導體層、及被設置在前述p型半導體層14上之透光性電極15，前述透光性電極15則含有被結晶化之IZO膜。
简体摘要：本发明是提供能够有效率地输出紫外光之半导体发光组件及其制造方法。半导体发光组件1系具备有：含有p型半导体层14，至少具有紫外区域的发光波长之半导体层、及被设置在前述p型半导体层14上之透光性电极15，前述透光性电极15则含有被结晶化之IZO膜。

8. 发明专利

TW201145569A 以ＧａＮ為基之半導體發光裝置及其製造方法 GAN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF 审中-公开
简体标题：以ＧａＮ为基之半导体发光设备及其制造方法 GAN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF
公开(公告)号：TW201145569A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100132228
申请日：2007-02-16
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：大澤弘 , 程田高史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/32 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015
摘要：一種以GaN為基之半導體發光裝置1,包含堆疊的本體10A,該堆疊的本體10A具有包含n型半導體層、發光層、及p型半導體層的元件層12,各層係由以GaN為基之半導體所形成且係依序堆疊,並設有以金屬製成的第一接合層14來作為最外層,以及形成於導電基板31上的第二接合層33,該第二接合層33係適於以位在形成該導電基板31之側對面的表面,而接合至該第一接合層14,該第二接合層33係以與該第一接合層14相同的晶體結構之金屬製成,且可在該接合表面之垂直方向與該接合表面之面內(in-plane)方向顯現相同的晶體定向。
简体摘要：一种以GaN为基之半导体发光设备1,包含堆栈的本体10A,该堆栈的本体10A具有包含n型半导体层、发光层、及p型半导体层的组件层12,各层系由以GaN为基之半导体所形成且系依序堆栈,并设有以金属制成的第一接合层14来作为最外层,以及形成于导电基板31上的第二接合层33,该第二接合层33系适于以位在形成该导电基板31之侧对面的表面,而接合至该第一接合层14,该第二接合层33系以与该第一接合层14相同的晶体结构之金属制成,且可在该接合表面之垂直方向与该接合表面之面内(in-plane)方向显现相同的晶体定向。

9. 发明专利

TW200423071A 磁性記錄媒體、其製造方法及磁性記錄再生裝置审中-公开
简体标题：磁性记录媒体、其制造方法及磁性记录再生设备
公开(公告)号：TW200423071A
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW093106211
申请日：2004-03-09
申请人：昭和電工股份有限公司 SHOWA DENKO KABUSHIKI KAISHA
发明人：大澤弘
IPC分类号： G11B
摘要：提供可充分減低雜訊之磁性記錄媒體，其製造方法及磁性記錄再生裝置。於非磁性基板1上，至少按非磁性底層2、第一磁性層3、非磁性互換層4、第二磁性層5及保護層6之順序層合，該第二磁性層5為第一磁性層3以抗強磁性互換之磁性記錄媒體，該第一磁性層係由Co Cr Zr系合金所構成者。
简体摘要：提供可充分减低噪声之磁性记录媒体，其制造方法及磁性记录再生设备。于非磁性基板1上，至少按非磁性底层2、第一磁性层3、非磁性互换层4、第二磁性层5及保护层6之顺序层合，该第二磁性层5为第一磁性层3以抗强磁性互换之磁性记录媒体，该第一磁性层系由Co Cr Zr系合金所构成者。

10. 发明专利

TW201145568A 以ＧａＮ為基之半導體發光裝置及其製造方法 GAN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF 审中-公开
简体标题：以ＧａＮ为基之半导体发光设备及其制造方法 GAN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF
公开(公告)号：TW201145568A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100132227
申请日：2007-02-16
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：大澤弘 , 程田高史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/32 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015
摘要：一種以GaN為基之半導體發光裝置1,包含堆疊的本體10A,該堆疊的本體10A具有包含n型半導體層、發光層、及p型半導體層的元件層12,各層係由以GaN為基之半導體所形成且係依序堆疊,並設有以金屬製成的第一接合層14來作為最外層,以及形成於導電基板31上的第二接合層33,該第二接合層33係適於以位在形成該導電基板31之側對面的表面,而接合至該第一接合層14,該第二接合層33係以與該第一接合層14相同的晶體結構之金屬製成,且可在該接合表面之垂直方向與該接合表面之面內(in-plane)方向顯現相同的晶體定向。
简体摘要：一种以GaN为基之半导体发光设备1,包含堆栈的本体10A,该堆栈的本体10A具有包含n型半导体层、发光层、及p型半导体层的组件层12,各层系由以GaN为基之半导体所形成且系依序堆栈,并设有以金属制成的第一接合层14来作为最外层,以及形成于导电基板31上的第二接合层33,该第二接合层33系适于以位在形成该导电基板31之侧对面的表面,而接合至该第一接合层14,该第二接合层33系以与该第一接合层14相同的晶体结构之金属制成,且可在该接合表面之垂直方向与该接合表面之面内(in-plane)方向显现相同的晶体定向。

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