基本信息:
- 专利标题： 線路元件製程及其結構 CIRCUIT STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
- 专利标题（英）：Circuit structure and fabrication method thereof
- 专利标题（中）：线路组件制程及其结构 CIRCUIT STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
- 申请号：TW095122893 申请日：2006-06-23
- 公开(公告)号：TWI336098B 公开(公告)日：2011-01-11
- 发明人： 林茂雄 , 周健康 , 陳科宏
- 申请人： 米輯電子股份有限公司
- 申请人地址： MEGICA CORPORATION 新竹市東區埔頂路29號8樓之1 TW
- 专利权人： 米輯電子股份有限公司
- 当前专利权人： 米輯電子股份有限公司
- 当前专利权人地址： MEGICA CORPORATION 新竹市東區埔頂路29號8樓之1 TW
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 美國 60/693,549 20050624
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
本發明提供一種線路元件製程及其結構，其係提供一基板，在在基板上設置至少一第一金屬柱及第二金屬柱，此第一金屬柱的最大橫向尺寸除以第一金屬柱及第二金屬柱的高度之比值係小於4，且第一金屬柱的高度係介於20微米至300微米之間，且第一金屬柱之中心點至第二金屬柱之中心點之間的距離係介於10微米至250微米之間。本發明因可將金屬柱體之間距縮小至250微米以下，且可達成針孔數目少於400個的目標。並能有效改善積體電路的性能，且可大幅降低低電源IC元件之IC金屬連接線路之阻抗及荷載。
摘要（中）：
本发明提供一种线路组件制程及其结构，其系提供一基板，在在基板上设置至少一第一金属柱及第二金属柱，此第一金属柱的最大横向尺寸除以第一金属柱及第二金属柱的高度之比值系小于4，且第一金属柱的高度系介于20微米至300微米之间，且第一金属柱之中心点至第二金属柱之中心点之间的距离系介于10微米至250微米之间。本发明因可将金属柱体之间距缩小至250微米以下，且可达成针孔数目少于400个的目标。并能有效改善集成电路的性能，且可大幅降低低电源IC组件之IC金属连接线路之阻抗及荷载。
公开/授权文献:
- TW200703451A 線路元件製程及其結構 CIRCUIT STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF 公开/授权日：2007-01-16