发明专利
TWI300944B 磁性薄膜及其形成方法、磁性元件與電感器及磁性元件的製造方法 MAGNETIC THIN FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC DEVICE AND INDUCTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
有权
基本信息:
- 专利标题： 磁性薄膜及其形成方法、磁性元件與電感器及磁性元件的製造方法 MAGNETIC THIN FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC DEVICE AND INDUCTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
- 专利标题（英）：MAGNETIC THIN FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC DEVICE AND INDUCTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
- 专利标题（中）：磁性薄膜及其形成方法、磁性组件与电感器及磁性组件的制造方法 MAGNETIC THIN FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC DEVICE AND INDUCTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
- 申请号：TW094141819 申请日：2005-11-29
- 公开(公告)号：TWI300944B 公开(公告)日：2008-09-11
- 发明人： 崔京九 CHOI, KYUNG-KU
- 申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
- 当前专利权人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理人： 何金塗; 何秋遠
- 优先权： 日本 2004-347912 20041130 日本 2004-347916 20041130
- 主分类号： H01F
- IPC分类号： H01F
摘要：
本發明提供具有高的共鳴頻率,高頻特性優異之磁性薄膜,以及高頻特性優異之磁性元件及電感器。本發明係在基板2上設置:平面線圈4及磁性薄膜1,在連接用端子J1,J2之間形成電感器。使磁性薄膜1中之傾斜生長磁性層11,在對基板2之表面傾斜方向上柱狀地結晶生長(傾斜生長磁性體12)。該傾斜生長磁性層11中,為了使傾斜生長磁性體12軟磁性化,因此在傾斜生長磁性體12中混入絕緣體13。傾斜生長磁性層11顯示面內結晶磁性各向異性,並且該面內結晶磁性各向異性為强,而各向異性磁場增加。由於可僅在傾斜生長磁性層11之結晶生長方向上改變各向異性磁場Hk,因此飽和磁化4���Ms不減少,而各向異性磁場Hk增加,使磁性薄膜1之共鳴頻率fr提高。
摘要（中）：
本发明提供具有高的共鸣频率,高频特性优异之磁性薄膜,以及高频特性优异之磁性组件及电感器。本发明系在基板2上设置:平面线圈4及磁性薄膜1,在连接用端子J1,J2之间形成电感器。使磁性薄膜1中之倾斜生长磁性层11,在对基板2之表面倾斜方向上柱状地结晶生长(倾斜生长磁性体12)。该倾斜生长磁性层11中,为了使倾斜生长磁性体12软磁性化,因此在倾斜生长磁性体12中混入绝缘体13。倾斜生长磁性层11显示面内结晶磁性各向异性,并且该面内结晶磁性各向异性为强,而各向异性磁场增加。由于可仅在倾斜生长磁性层11之结晶生长方向上改变各向异性磁场Hk,因此饱和磁化4���Ms不减少,而各向异性磁场Hk增加,使磁性薄膜1之共鸣频率fr提高。