基本信息:
- 专利标题： 濺鍍靶及光記錄媒體 SPUTTERING TARGET AND OPTICAL RECORDING MEDIUM
- 专利标题（英）：Sputtering target and optical recording medium
- 专利标题（中）：溅镀靶及光记录媒体 SPUTTERING TARGET AND OPTICAL RECORDING MEDIUM
- 申请号：TW093110820 申请日：2004-04-19
- 公开(公告)号：TWI288180B 公开(公告)日：2007-10-11
- 发明人： 高橋秀行 TAKAHASHI, HIDEYUKI , 高見英生 TAKAMI, HIDEO , 矢作政隆 YAHAGI, MASATAKA
- 申请人： 日金屬股份有限公司
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 日金屬股份有限公司
- 当前专利权人： 日金屬股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理人： 桂齊恆; 閻啓泰
- 优先权： 日本 2003-274651 20030715 日本 2003-287247 20030806
- 主分类号： C23C
- IPC分类号： C23C ; G11B
摘要：
一種光記錄媒體用Ge-In-Sb-Te合金濺鍍靶以及由該合金所構成之光記錄媒體，該靶係由Ge(α)-In(β)-Sb(γ)-Te(δ)合金所構成，其特徵在於：當各成分組成比α、β、γ、δ(原子％)合計為100時，0.1≦α≦10、0.1≦β≦10、60≦γ≦90、10≦δ＜22。所提供光記錄媒體用Ge- In-Sb-Te合金濺鍍靶以及由該合金所構成之光記錄媒體，在濺鍍時粒子發生量少，可安定地製作品質佳之薄膜，且減少記錄位元錯誤的發生並達成高記錄密度。
摘要（中）：
一种光记录媒体用Ge-In-Sb-Te合金溅镀靶以及由该合金所构成之光记录媒体，该靶系由Ge(α)-In(β)-Sb(γ)-Te(δ)合金所构成，其特征在于：当各成分组成比α、β、γ、δ(原子％)合计为100时，0.1≦α≦10、0.1≦β≦10、60≦γ≦90、10≦δ＜22。所提供光记录媒体用Ge- In-Sb-Te合金溅镀靶以及由该合金所构成之光记录媒体，在溅镀时粒子发生量少，可安定地制作品质佳之薄膜，且减少记录比特错误的发生并达成高记录密度。
摘要（英）：
A Ge(alpha)-In(beta)-Sb(gamma)-Te(delta) alloy sputtering target for optical recording media characterized in that letting the sum of the respective composition ratios alpha, beta, gamma, delta (atom%) be 100, their ranges are 0.1 <= alpha <= 10, 0.1 <= beta <= 10, 60 <= gamma <= 90, 10 <= delta < 22. An optical recording medium made of the alloy is also disclosed. Few particles are produced during sputtering, and consequently a high-quality thin film is stably formed. The optical recording medium hardly causes an error of record bits and has a high recording density.
公开/授权文献:
- TW200502412A 濺鍍靶及光記錄媒體 公开/授权日：2005-01-16